请问场效应管的工作条件 场效应管的截止条件？
具体要求一般是：
栅极（G）与源极（S）之间的电压高于开启电压（Ugs(th)，场效应管的datasheet里面有，一般是2-4V），又小于8V左右时，漏源电压（UDS）小于漏源击穿电压（BUDS）时，场效应管可以工作在饱和区。
截止区的条件就很简单了，只要Ugs小于开启电压即可。
按照我以前的经验，UGS最好不要太小，靠近8V这样会好一些，导通电阻Rds会小一些，整个管子的功耗也可以小一点。
各种场效应管的工作条件？~
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当然不能导通了。
场效应管的导通条件是，栅源电压（UGS，栅极与源极之间的电压差，万用表红笔接栅极，黑笔接源极，万用表显示的就是栅源电压，不是栅极对地电压）至少大于开启电压（2-4V），也就是说，源极是19V的话，栅极电压至少要在21-23V以上才导通。
PS:我建议你还是先看一下简单的电路基础，有电平、电势这样的概念后再看模电这样的东西。
关于主板的场效应管,讨个通俗的解释
答：使用时,场效应管实际功耗应小于PDSM并留有一定余量。7、IDSM — 最大漏源电流。是一项极限参数,是指场效应管正常工作时,漏源间所允许通过的最大电流。场效应管的工作电流不应超过IDSM 几种常用的场效应三极管的主要参数 四、场效应管的作用1、场效应管可应用于放大。由于场效应管放大器的输入阻抗很高,因此...
场效应管漏极电流(直流)ID,是什么条件下的电流?
答：场效应管的漏极电流ID是场效应管的输出电流，在漏源电压VDS、栅源电压VGS不为0时，漏极电流ID不为0。场效应管输出特性曲线分为三个区：可变电阻区、恒流区和击穿区。VDS较小时，场效应管工作在可变电阻区，ID近似随VGS作线性变化。VDS较大时，工作在恒流区，ID保持稳定，不随VGS的变化而改变。当...
MOS管特性,包括电流流向,沟道开启条件
答：电路中常用增强型MOS管，其工作原理：当栅极-源极电压变化时，将改变衬底靠近绝缘层处感应电荷的多少，从而控制漏极电流的大小。电流流向：由漏极d流向源极s。沟道开启条件：N沟道增强型场效应管：当VGS＞VT（开启电压）时，衬底中的电子进一步被吸至栅极下方的P型衬底表层，使衬底表层中的自由电子数量...
场效应三极管与普通三极管的差别?
答：场效应管是电压控制元件，而三极管是电流控制元件。在只允许从信号源取较少电流的情况下，应选用场效应管。而在信号源电压较低，又允许从信号源取较多电流的条件下，应用三极管。2、场效应管靠多子导电，管中运动的只是一种极性的载流子；三极管既用多子，又利用少子。由于多子浓度不易受外因的影响，因此...
怎样测量FP40R12KT3的好坏
答：按材料分可分为结型管和绝缘栅型管，绝缘栅型又分为耗尽型和增强型，一般主板上大多是绝缘栅型管简称MOS管，并且大多采用增强型的N沟道，其次是增强型的P沟道，结型管和耗尽型管几乎不用。三、场效应管的特性：1、工作条件：D极要有供电，G极要有控制电压 2、主板上的场管N沟道多，G极电压越...
比较场效应管与双极型晶体管的特点
答：三.场效应管是多子导电, 而双极型晶体管则是既利用多子, 又利用少子. 由于少子的浓度易受温度,辐射等外界条件的影响, 因此在环境变化比较剧烈的条件下, 采用场效应管比较合适.四.场效应管是利用多数载流子导电，所以称之为单极型器件，而双极型晶体管是即有多数载流子，也利用少数载流子导电。被称之为...
三极管、场效应管、可控硅的测量和作用
答：可控硅的工作条件：1. 可控硅承受反向阳极电压时，不管门极承受和种电压，可控硅都处于关短状态。2. 可控硅承受正向阳极电压时，仅在门极承受正向电压的情况下可控硅才导通。3. 可控硅在导通情况下，只要有一定的正向阳极电压，不论门极电压如何，可控硅保持导通，即可控硅导通后，门极失去作用。4. ...
场效应管和三极管在实际应用中有什么不同?
答：2、驱动更便捷。在不要求速度的条件下，场效应管的驱动简单（电压型）。3、抗压性不同。场效应管对电压敏感，过压损坏的概率比晶体管大，这是不足之处，驱动继电器的时候使用晶体管比较可靠（防反压）。4、试用功能不一样。但场效应管还可以作为压控电阻使用，可以在微电流、低电压条件下工作。且便于...
场效应管的问题
答：有四种可能：1、增强型MOS管；2、耗尽型MOS管；3、耗尽型MOS管；4、结型管。见图：。
模拟电子技术基础,结型场效应管工作外恒流区的条件是?
答：施加固定的栅源电压，漏源电流就是固定的，就是恒流源
